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电子束刻蚀系统

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电子束刻蚀系统

电子束刻蚀系统

电子束刻蚀系统是在半导体工艺,按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。电子束刻蚀系统不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺,而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。由于曝光束不同,刻蚀技术可以分为光刻蚀、X射线刻蚀、电子束刻蚀和离子束刻蚀。
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光刻胶

光刻胶

  • 品牌: 德国Allresist
  • 型号: AR
  • 产地:德国
  • 供应商:北京汇德信科技有限公司

    光刻胶(resist)概述 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC),封装(Packaging),微机电系统(MEMS),光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板显示器(LED,LCD,OLED),太阳能光伏(Solar PV)等领域。 德国ALLRESIST公司是从事光刻用电子化学品研发、生产和销售的专业公司,有丰富的经验和悠久的传统。可以为您提供各种标准工艺所用的紫外光刻胶,电子束光刻胶(抗蚀剂)以及相关工艺中所需要的配套试剂。 北京汇德信科技有限公司作为德国ALLRESIST的国内独家代理经销商,为国内用户提供高品质的光刻胶以及配套服务。产品类型:1.紫外光刻胶(Photoresist) 各种工艺:喷涂专用胶,化学放大胶,lift-off胶,图形反转胶,高分辨率胶,LIGA用胶等。 各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。 各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶(电子束抗蚀剂)(E-beam resist) 电子束正胶:PMMA胶,PMMA/MA聚合物, LIGA用胶等。 电子束负胶:高分辨率电子束负胶,化学放大胶(高灵敏度电子束胶)等。3. 特殊工艺用胶(Special manufacture/experimental sample) 电子束曝光导电层,耐酸碱保护胶,全息光刻用胶,聚酰亚胺胶(耐高温保护胶)等特殊工艺用胶。4. 配套试剂(Process chemicals) 显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂(粘附剂)、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全,可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含:各种厚度的紫外光刻胶(正胶或负胶),lift-off工艺用胶,LIGA用胶,图形反转胶,化学放大胶,耐刻蚀保护胶,聚酰亚胺胶,全息曝光用胶,电子束光刻胶(包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶(灰度曝光用胶)、混合曝光用胶等)2. 光刻胶包装规格灵活多样,适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含:250毫升、1升、2.5升等常规包装,还提供试验用小包装,如30毫升、100毫升等。3. 交货时间短。 我们每个月20号左右都会向德国厂商下订单,产品将于第二个月中旬到货,您可以根据实际情况,合理安排采购时间。具体的订购情况,请联系我们的销售人员。4. 可以提供高水准的技术咨询服务,具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。5. 储存条件: 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法,因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时,光刻胶材料本身的特性会发生改变,经过显影液显影后,曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面,这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上,而后续的刻蚀、沉积等工艺,就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上,最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子;负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的曝光部分被去掉,而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成:树脂型聚合物(resin/polymer),溶剂(solvent),光活性物质(photoactive compound,PAC),添加剂(Additive)。 其中,树脂型聚合物是光刻胶的主体,它使光刻胶具有耐刻蚀性能;溶剂使光刻胶处于液体状态,便于涂覆;光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光,并发生相应的化学反应;添加剂是用以改变光刻胶的某些特性,如控制胶的光吸收率/溶解度等。光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度(Sensitivity) 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2.分辨率(resolution) 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面: (1)曝光系统的分辨率。 (2)光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 (3)前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度(Contrast) 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好,越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 (Viscosity) 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性(Anti-etching) 光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度(Process latitude) 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件,当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小,即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist) 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”(PAG, Photo Acid Generator)的物质。在光刻胶曝光过程中,PAG分解,首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤,即后烘(PEB, Post Exposure Baking)这些光酸分子又发连锁反应,产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶(正胶)或不可溶(负胶)。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的,只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸,因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。光刻胶推荐:AR-N 4340,AR-N 4400,AR-N 7700等。2. 灰度曝光(Grey Scale Lithography) 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面,是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区,而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点:光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。光刻胶推荐:AR-N 77203. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸,使之转化为金属深结构,因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A),即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。光刻胶推荐:AR-P 6510,AR-N 4400, PMMA等4. lift-off工艺 溶脱剥离法(lift-off)是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形,在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除,凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜,实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。光刻胶推荐:AR-P 5350,AR-P 5400,AR-N 4240,AR-N 4340,AR-N 4400等5. 电镀法(electroplating) 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤:首先,在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底,然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜; 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路,金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上; 最后,将光刻胶去除,并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜,便得到金属微结构图形。光刻胶推荐:AR-P 3200, AR-N 4400等光刻胶选型方法 为方便您选型,请填写光刻胶用户调查表并回传给我们(传真:010-82867919或E-mail:contact@germantech.com.cn),您也可以通过公司留言板,给我们留言,索取详细资料。我们会尽快与您联系! 更多产品信息,请见:www.germantech.com.cn

JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统

JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统

  • 品牌: 日本电子
  • 型号: JBX-8100FS
  • 产地:日本
  • 供应商:捷欧路(北京)科贸有限公司

    最新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能。

JBX-3050MV 电子束光刻系统

JBX-3050MV 电子束光刻系统

  • 品牌: 日本电子
  • 型号: JBX-3050MV
  • 产地:日本
  • 供应商:pc蛋蛋捷欧路(北京)科贸有限公司

    JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 最先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。

JBX-3200MV 电子束光刻系统

JBX-3200MV 电子束光刻系统

  • 品牌: 日本电子
  • 型号: JBX-3200MV
  • 产地:日本
  • 供应商:捷欧路(北京)科贸有限公司

    JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 最先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。pc蛋蛋

JBX-9500FS 电子束光刻系统

JBX-9500FS 电子束光刻系统

  • 品牌: 日本电子
  • 型号: JBX-9500FS
  • 产地:日本
  • 供应商:捷欧路(北京)科贸有限公司

    JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具世界最高水平的产出量和定位精度,最大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版,适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。

JBX-6300FS 电子束光刻系统

JBX-6300FS 电子束光刻系统

  • 品牌: 日本电子
  • 型号: JBX-6300FS
  • 产地:日本
  • 供应商:捷欧路(北京)科贸有限公司

    JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形。 此外,该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度,性能比优越。 利用最细电子束束斑(实测值直径≦2.9nm)可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细的图形。

AMP - 无掩模曝光机

AMP - 无掩模曝光机

  • 品牌: 美国IMP
  • 型号: SF-100XCEL/SF-100XPRESS
  • 产地:美国
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    pc蛋蛋 产品简介产品优点微米和亚微米光刻 (最小可达到0.6um线宽) 紫外光直写曝光,无需掩模,大幅节约了掩模加工费用灵活性高,可直接通过电脑设计光刻图形,并可根据设计要求随意调整。可升级开放性系统设计。按照客户要求可从低端到高端自由配置使用维护简单, 设备耗材价格低。应用范围广,目前广泛应用于半导体、生物芯片、微机电系统、传感器、微化学、光学等领域。型号SF-100 XCEL SF-100 XPRESS SF-100 XTREME光学系统标准光学系统高分辨率光学系统高分辨率光学系统高分辨率光学系统缩小透镜None3X任选一个任选一个标配以下3种缩小透镜4X10X20X4X10X20X4X10X20X像素尺寸(标准配置)15um5um1.25um0.5um0.25um1.25um0.5um0.25um1.25um0.5um0.25um特征尺寸(标准配置) 45um15um5um2um1um5um2um1um5um2um1um像素尺寸 (配置Sub-micron)--0.936um0.390um0.188um0.936um0.390um0.188um0.936um0.390um0.188um特征尺寸 ((配置Sub-micron) --0.8um1.17um0.60um2.8um1.17um0.60um2.8um1.17um0.60um套刻精度Overlay accuracy (样品台配置theta 方向运动)--+/-2.5um+/-1.0um+/-0.5um+/-2.5um+/-1.0um+/-0.5um+/-2.5um+/-1.0um+/-0.5um样品台无自动 XYZ 线性驱动样品台。XY 行程: 60, 100, 150, 200, 300mm可选, Z 行程5mm 或 25mm可选或选配手动螺杆驱动样品台 XY 行程100mm, Z 行程 25mm可选配 theta 方向运动theta 方向运动为标准配置或选配自动线性驱动样品台 XY 行程100mm, Z 行程 25mm--设备尺寸44" W x 26"D x 30"H60"W x 26"D x 36"H或, 44"W x 26"D x 30"H60"W x 26"D x 36"H

ATM Kristall 680 全自动电解抛光蚀刻机

ATM Kristall 680 全自动电解抛光蚀刻机

  • 品牌: 德国ATM
  • 型号: Kristall 680
  • 产地:德国
  • 供应商:弈镁(上海)贸易有限公司

    KRISTALL 680是一款通过触屏界面直观操作的全自动电解抛光蚀刻。具有独立的抛光蚀刻单元和控制单元,并可以在通风橱中使用。无需知晓试样组织情况,通过扫描功能即可显示材料的电流-电压特征曲线。将电解液储存在1升体积的独立电解槽中进行封盖储存,工作时通过整体更换的方式来更换电解液,极大地方便了抛光蚀刻单元的操作。设备的清洁可以采用水,通过清洗程序完成。产品特色 全自动电化学抛光/蚀刻装置 ATM软件控制的触屏显示 可储存多达200个通过密码保护的程序 实时电流电压曲线 输出电压和过程持续时间可调

USHIO投影式全自动光刻设备

USHIO投影式全自动光刻设备

  • 品牌: 日本Ushio
  • 型号: UX-4系列
  • 产地:日本
  • 供应商:新耕(上海)贸易有限公司

    UX-4系列全自动投影式光刻设备主要运用于大尺寸的LED芯片生产和研发。同时又可以运用于半导体MEMS芯片的新品开发和大批量生产。 特点: *最大限度的提高生产良率。(焦点深度可达±50um) *光刻板和Wafer非接触,光罩板可以反复利用无需对光罩板进行清洗和更换。 *最大可对应到8英寸芯片的生产,1:1一次性曝光。 *设备利用率可达97%以上 *真正意义上的全自动,光罩板无需人工装载。 *产品生产切换简易。 *焦点深度可达±50um(可有效对芯片应翘曲严重和厚胶工艺) 应用: *LED及半导体MEMS芯片的研发和生产。

USHIO自动光刻设备

USHIO自动光刻设备

  • 品牌: 日本Ushio
  • 型号: UPE-1255ATL
  • 产地:日本
  • 供应商:新耕(上海)贸易有限公司

    UPE-1255ATL是被广泛应用于LED芯片研发和大批量生产的一款自动光刻设备 特点: *具有较高的设备稳定性。 *具有较高的生产对应能力和处理速度 每小时可达200WPH以上 *搭载USHIO自主研发的光学系统,在提高照度的同时也提高了光照均一性。 *具有较好的对位识别系统,提高并完善了对位成功率,进一步提高了生产效率。 *产品生产切换简易。 用途: *LED芯片生产工艺的大批量生产。

Ushio 手动光刻机

Ushio 手动光刻机

  • 品牌: 日本Ushio
  • 型号: UPE-1102LU
  • 产地:日本
  • 供应商:新耕(上海)贸易有限公司

    Ushio手动光刻设备UPE-1102LU主要应用于LED芯片(蓝白光,红黄光)研发和生产当中,并且对全自动生产线所产生的LED芯片破片有辅助生产和处理的功能。同时也能对应一些较为特殊材质的芯片如:GaAs,SiO2的研发及生产。 特点: *可调整光刻间距,最大限度的避免光刻板被污染。 *操作简易,任何操作人员都能在短时间内熟练掌握。 *产能高于一般同行业竞争对手,最高可达80WPH; *可调整光刻时间,调整光强,并可根据所需累计光量值自动补偿光刻时间(无需人工调整)。 *更具客户端的光刻工艺,可预先设定光刻频道,可最大限度避免人为误操作的产生。 应用: *LED,半导体的芯片生产和研发。

纳米压印+光刻对准一体机

纳米压印+光刻对准一体机

  • 品牌: 美国NANONEX
  • 型号: NX-2600
  • 产地:美国
  • 供应商:上海富格贸易有限公司

    NX-2600 多功能整片基板带对准功能多层次的纳米压印和高分辨率光刻系统 NX-2600整片基板带对准可多层次纳米压印加高分辨率光刻系统经过了大量的实时实地验证,质量可靠,性能优越稳定。具备全部压印模式:热固化、紫外固化和压印。基于独特专利保护的Nanonex气垫软压技术(ACP),不论模版或基板背面粗糙程度如何,或是模版或基板表面波浪和弧形结构,NX-2600均可对其校正补偿从而获得无与伦比的压印均匀性, ACP消除了基板与模版之间侧向偏移,有效地延长了模版使用寿命。通过微小热容设计可获得快速的热压印周期,最终得到快速的工艺循环。 (www.nanonex.com) NX-2600 具备光刻功能及光学对准的复纳米压印机 --低于1 um的光学对准精度 --低于10nm的压印分辨率 --增强的气垫软压技术可实现整个基片纳米压印均匀性 --整片晶圆(最大8″)纳米压印用于热塑性和热固性纳米压印胶 --每一次压印小于60秒的纳米压印时间 --4″,5″,6″,8″晶圆可选 主要特点: 所有形式的纳米压印:热塑化;紫外固化;热压与紫外压印同时进行;热固化。 气垫软压技术(ACP): Nanonex专利技术; 完美的整片基板纳米压印均匀性; 高通量 低于10nm分辨率; 亚1微米对准精度; 背面对准可选项;快速工艺循环时间(小于60秒) 灵活性: 4″, 6″, or 8″压印面积可选; 各种尺寸及不规则形状模板与基板均可压印 热塑压印模块 温度范围0~250oC; 加热速度>300oC/分钟; 制冷速度>150oC/分钟; 压力范围0 ~ 3.8 MPa(550 psi) 紫外固化模块 200W窄带紫外光源; 365纳米或395纳米波长可选; 全自动化控制 对准模块 X, Y, Z, Theta平台; 分场光学和CCD相机 模版装载功能 4″/5″/6″模版可用于标配纳米压印系统; 8”模板可升级 基板装载 标配纳米压印系统可装载4″基板,6″和8″基板可选; 各种尺寸及不规则形状模板与基板均可压印 独特专利保护ACP技术可最大限度保护模板和基板,特别对于象磷化铟(InP)等极易碎模板和基板给予最大限度。 光刻 标配5”模板,标配4”直径基板; 其他尺寸可以提供; 500瓦紫外水银灯光源

Nanonex光刻机

Nanonex光刻机

  • 品牌: 美国NANONEX
  • 型号: Lumina-200
  • 产地:美国
  • 供应商:上海富格贸易有限公司

    Lumina-200 多功能高精度光刻机 Lumina-200高分辨率光刻机加对准系统经过了大量的实时实地验证,质量可靠,性能优越稳定。Lumina系列是一款具有高性能,高可靠性,高性价比,兼具接触和近程光刻的高分辨率,高对准精度全功能光刻机和模板基板对准机。Lumina系列在电子,光电子,MEMS,生物芯片等诸多领域都有广泛应用。Lumina-200具有极佳的用户界面,高精度的机械平台,高精度光学,紧凑的系统设计。 主要特点: 高光刻分辨率;高精度对准机械平台;最新高精度对准光学系统;精确的间距控制 极佳的计算机用户界面;紧凑的系统设计;高性价比设计;可附加背面对准功能 应用: 半导体器件;光电子器件;MEMS;高端封装;功率器件 生物芯片 基于超过12年、15代产品开发经验的自动化操作 Nanonex经过大量实时实地验证,质量可靠,性能优越稳定 系统参数: 主平台 手动控制 X-Y-;马达控制 Z; 调节范围:X和Y:1英寸;:10度;Z:0.25英寸 模板加载能力 5”标配模板;其他尺寸可提供 基板加载能力 4”标配基板;其他尺寸可提供 对准模式 近程,软,硬接触 对准光学 分场光学;5X物镜,1到7X ZOOM;2轴独立手动X,Y,Z显微镜调节 粗略和精细对焦;通过CCD相机成像 曝光系统 紫外:水银灯G或I线可选;紫外灯功率:500瓦 均匀紫外曝光;马达带动紫外光源

光刻机 / 紫外曝光机 (Mask Aligner)

光刻机 / 紫外曝光机 (Mask Aligner)

  • 品牌: 韩国ECOPIA
  • 型号: M-100
  • 产地:韩国
  • 供应商:上海载德半导体技术有限公司

    仪器简介:光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国,唯一能做到图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻机,高性价比型号:KCMA-100;又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机,紫外曝光机等;ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商,多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。感谢南开大学,中科院半导体所,中科院长春应化所,中科院物理所,浙江师范大学使用此设备做课题研究!!此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号,达到欧美品牌的对准精度,CCD显示屏对准更为方便,液晶触摸屏操作,采用欧司朗紫外灯,寿命长。整机效果皮实耐用,正常使用3年内不会出问题!!目前,上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产,证明其品质达到LED产业标准要求!!而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻工艺设备。技术参数:- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;- 光束均匀性:<±3%;- 曝光时间可调范围:0。1 to 999。9秒;- 对准精度:0。6-1微米- 分辨率:1微米;- 光束输出强度:15-25mW/cm2;项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact : 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4。25×4。25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0。1 to 999。9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触,渐进(Proximity)卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum< -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA> 5Kg/cm2氮气 N2>3Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;主要特点:- 光源强度可控;- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);- 系统控制:手动、半自动和全自动控制;- 曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式;- 真空吸盘范围可调;- 专利技术:可双面对准,可双面光刻,具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统,最大放大1000倍,显示屏直接调节,比传统目镜对准更方便快捷,易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做;- 具有楔形补偿功能;

Nikon G6光刻机

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